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E-SOI®(Enhanced SOI®) 웨이퍼
E-SOI ®는 새로운 차원의 레이어 두께 균일성과 전례 없는 특성을 지닌 향상된 SOI 웨이퍼 입니다. E-SOI®는 HV BCD 장치, 실리콘 광학 및 고정밀 실리콘 기반 MEMS(마이크로 전자 기계 시스템) 센서와 같은 까다로운 어플리케이션에 이상적인 플랫폼입니다. 

E-SOI®의 디바이스층 두께는 1.0μm와 100μm 사이에서 자유롭게 선택할 수 있으며, 두께와 무관하게 허용오차는 +/-0.1μm 를 보장합니다. 산화 절연체의 두께 역시 0.5 μm와 3 μm 사이에서 자유롭게 조절 가능합니다.


이점
• 초박막의 TTV를 보장
• 종래의 기술로는 도달할 수 없었던 획기적인 디자인 구현 가능
• 다른 SOI 기술로 전통적으로 제작된 애플리케이션 또한 BSOI 웨이퍼로 대체 가능 
• 기존 설계를 유지하면서 디바이스의 성능과 수율을 개선

• 디바이스의 정밀도를 저하시키지 않고 디바이스 크기와 비용 절감 가능

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Industries
Semiconductor Display 5G Automotive and Transportation Defense Medical and Dental Aerospace Data and Telecom Electronics Sensor