전자재료

Home  .   사업분야  .  전자재료
PREV NEXT
SOI(Silicon on Insulator) 웨이퍼
당사의 SOI웨이퍼는 본딩 기술로 제조됩니다. 두 개의 실리콘 웨이퍼가 함께 접합되어 있으며, 그 사이에 산화 절연체가 있습니다. 
일반적으로 센서(Sensing Elements) 및 IC기기 (IC devices)과 같은 어플리케이션의 활성 계층에 구축됩니다. 산화 절연체는 또한 효과적인 에치 스톱 또는 희생층으로 작용 합니다. 핸들 웨이퍼는 디바이스의 구조를 지지하는 것 뿐만 아니라 구조물을 밀봉하거나 감지 요소의 일부로도 사용될 수 있습니다.


SOI 웨이퍼 제품군
전체 웨이퍼 제조 라인을 자체적으로 제어하며 모든 중요 매개변수들을 모니터링 함으로써  최고 품질의 SOI를 제공하며 요청에 따라 전기 전도성과 서로 다른 결정 방향의 웨이퍼를 선택하여 고객 맞춤형 SOI 공급이 가능합니다. 


SOI 웨이퍼 사양 예시​   

 Growth Methods

Cz, MCz 

 Diameter

150, 200mm 

 Crystal Orientation

<100>, <110>, <111> 

 N Type Dopants

Arsenic, Phosphorus, Red Phosphorus 

 P Type Dopants

Boron 

 Resistivity

<1mOhm-cm up to over 5,000 Ohm-cm 

 Thickness

SOI layer: up to > 200um, standard tolerance ±0.3um

(for specific applications < even tighter)

Handle wafer: from 300 um to 950 um

Back surface polished or etched 

 Buried Oxide:

Type: Thermal Oxide 

Industries
MEMS Automotive and Transportation Aerospace